據(jù)媒體報道，長江蓄水庫計劃今年將其產(chǎn)量提高一倍。該公司計劃在下半年將其每月的存儲芯片產(chǎn)量提高到100,000個晶片。
它還準備試生產(chǎn)192層NAND閃存芯片。該產(chǎn)品將于2021年開始試生產(chǎn)，但試生產(chǎn)計劃可能會推遲至2021年下半年。
市場領(lǐng)先的供應(yīng)商仍在開發(fā)176層3DNAND芯片，目前可用于批量生產(chǎn)的最先進版本是128-層NAND芯片。在此之前，YMTC在4月13日宣布已成功開發(fā)其128層QLC3DNAND閃存，并且已在多家控制器制造商的終端存儲產(chǎn)品（例如SSD）上進行了驗證。
這標志著國內(nèi)3DNAND領(lǐng)域已正式進入國際先進水平。自2020年第三季度以來，長江倉儲一直在忙于引進和安裝必要的生產(chǎn)設(shè)備并擴大生產(chǎn)線。
目前，YMTC同時生產(chǎn)64層和128層3D閃存芯片，但將逐漸將更多容量轉(zhuǎn)移給后者。據(jù)報道，YMTC最早將于2021年中期開始試生產(chǎn)192層3DNAND閃存芯片，這將是中國半導(dǎo)體行業(yè)參與者首次試生產(chǎn)此類芯片。
三星和美光等市場領(lǐng)先的供應(yīng)商仍在開發(fā)176層3DNAND芯片，并且可以批量生產(chǎn)的最先進版本是128層NAND芯片。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)掀起產(chǎn)能擴張+國內(nèi)替代浪潮。
從2018年到2020年，長江蓄水技術(shù)實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的技術(shù)飛躍。在市場份額高度集中的內(nèi)存芯片市場，國產(chǎn)內(nèi)存芯片的量產(chǎn)上市對于填補國內(nèi)存儲空白具有重要意義。
具體來說，長江存儲和合肥長鑫的生產(chǎn)線正在逐步增加產(chǎn)能，仍然有較大的產(chǎn)能空間，這將迫使國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備制造商在產(chǎn)能擴張過程中釋放其業(yè)績。中信證券于1月7日發(fā)布研究報告，長江存儲，華虹集團，中芯國際，長興存儲等晶圓廠正在積極擴大生產(chǎn)，帶動國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場全球增速翻番，行業(yè)發(fā)展迅速。
生產(chǎn)能力偏緊。生產(chǎn)進度有望加快。
其中，長江蓄水項目一期將在2019年達到20,000件/月的生產(chǎn)能力，并將在2020年擴大至50,000件/月。預(yù)計該項目的一期將達到未來的月產(chǎn)能為100,000件/月，第二階段的土建工程已經(jīng)完成。
建設(shè)將于2020年6月開始，兩個階段的總生產(chǎn)能力為300,000件/月。從中信證券編纂的2018年至2020年的三年中，長江儲水約2500臺設(shè)備的招標情況來看，日美制造商仍占主導(dǎo)地位，但國內(nèi)制造商所占比例逐年增加。
在2019年長江倉儲的1088項設(shè)備招標中，中國制造商的設(shè)備占9.65％；在2020年長江倉儲的1107種設(shè)備招標中，中國制造商的設(shè)備占14.36％，呈上升趨勢。華北北方，中國微電子和圣美分別中標了97/45/25個單元，位居國內(nèi)制造商的前列。
因此，中信證券表示，產(chǎn)能擴張+國內(nèi)替代正在積極推進，并對2021年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的發(fā)展感到樂觀。展望2021年，IDM工廠，如長江存儲和長鑫存儲，華虹無錫，華立集成，中芯國際和其他晶圓代工廠制定了持續(xù)的產(chǎn)能擴張計劃。
在包括晶圓在內(nèi)的當(dāng)前行業(yè)產(chǎn)能短缺的背景下，制造，包裝和測試設(shè)備的訂單預(yù)計將激增。另一方面，中芯國際事件進一步激發(fā)了國內(nèi)制造商的危機意識，有望積極推動國產(chǎn)新機的核查，這將使國產(chǎn)設(shè)備制造商受益。